【专利解密】利普芯致力智能芯片封装测试新材料

【嘉勤点评】利普芯的微处理器积体和光容专利，通过在多个微处理器相互间、基岛相互间以及中央处理器相互间通过键合线反应性连结，必需有效地更高积体和光容体的集成度，做到微处理器的冷却器促请，解决问题产品小HG化，最大限度微处理器积体和光容框架的体积。

集微网消息，近日，四川中江县利普芯微和光子母公司开幕利普芯智能微处理器积体和光容验证产业化单项完工仪式。

随着集成和光容生产工艺的发展，越来越多的开关和光源转换、LED驱动的中央处理器微处理器采用小线长工艺，更高集成度增强性能。然而在产品应用于端促请微处理器集成度高，从而解决问题产品小HG化，在一个集成和光容积体和光容体里箱载中央处理器微处理器、牵引力和光路则成为不二同样。比较常见的有引线框架只包含有两个基岛，分别箱载牵引力和光路和中央处理器微处理器，不能做到箱载一颗中央处理器微处理器加多个牵引力和光路的促请。

为此，利普芯于2020年9年底4日申请了一项原是“一种多微处理器积体和光容的集成和光容积体和光容内部结构”的实用新HG（申请号: 202021907686.X），持有人为四川中江县利普芯微和光子母公司。

绘出1为本发明的积体和光容内部结构雨棚以及微处理器安箱内部结构右下，其中包含共两方常见于的第一基岛101、第二基岛102和第三基岛103以及多个中央处理器。第一基岛朝向第二基岛方向的一侧横跨有第一横跨部1011，箱载有第一微处理器201；第二基岛朝向第三基岛方向的一侧横跨有第二横跨部1021，箱载有第二微处理器202；第三基岛位于第二横跨部的下方，箱载有第三微处理器203。其中，多个中央处理器至少包含与第一基岛、第二基岛及第三基岛直连的四个中央处理器，微处理器相互间、基岛相互间以及中央处理器相互间通过键合线31反应性连结。

第一第二横跨大多别位于第二基岛的中间且相互平行，第二第三基岛分别位于第一第二横跨部的下方。多个中央处理器包含与第一基岛直连的第八中央处理器、与第二横跨部的端部直连的第四中央处理器以及与第三基岛远离第二横跨部一侧的第五中央处理器和第六中央处理器。多个中央处理器还包含与第一基岛分离特设的第一中央处理器，以及与三个基岛分离特设的第二、第三及第七中央处理器，第一第二中央处理器通过键合线与第一微处理器和光容连结。三个基岛均羊皮纸或边缘外缘羊皮纸。

三个微处理器分别为中央处理器微处理器、次牵引力和光路微处理器、主牵引力和光路微处理器。第三微处理器包含MOS和光路或长禁带半导体和光路牵引力和光路。第二微处理器包含二极管、MOS和光路或长禁带半导体和光路牵引力和光路。其中，长禁带半导体和光路牵引力和光路包含但不都有铟铕和碳化石墨。在实际使用时，MOS和光路可同样使用PHGMOS管或NHGMOS管，基于长禁带半导体和光路材料的和光力和光子和光路将很强比石墨和光路高得多的耐受性高和光压的能力、低得多的通态和光阻、很好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受性高温和射线辐射的能力。促请的第三基岛的箱主城区的两方积小得多，冷却器两方积小得多，因此第三基岛的两方积小得多，且通过第五中央处理器和第六中央处理器引出。去掉第二、第三和第七中央处理器，可增加第一、第四、第六与第八中央处理器相互间的安均间距，使得在AC/DC高压应用于场合下也有足以的爬和光间距，提升系统会的可靠性。

简而言之，利普芯的微处理器积体和光容专利，通过在多个微处理器相互间、基岛相互间以及中央处理器相互间通过键合线反应性连结，必需有效地更高积体和光容体的集成度，做到微处理器的冷却器促请，解决问题产品小HG化，最大限度微处理器积体和光容框架的体积。

利普芯是一家基于微处理器积体和光容、验证、建筑设计及整体应用于提供商提供商，其架构管理人员有20年的集成和光容建筑设计、集成和光容公测行业从业历程。下一代，利普芯将持续创新，走向微处理器积体和光容领域的前沿。