三星电子意欲开发全球首个 3D DRAM，有望 2025 年问世

IT之家 1 月 19 日消息，据 BusinessKorea 引述，大厂正在加快 3D DRAM 的数据分析和整合，这家集成电路亿万富翁已经开始加强相关他的团队建设，比如聘请职员。

从前，DRAM 是通过将器件和电容器器排在一个四边形上生产的。然而，随着 20 世纪 80 年代末 DRAM 容量左右 4 兆，降低 DRAM 的密度变得困难，使得重新整理元件和电容器成为不可避免。当时，DRAM 行业分为“底部四组”和“堆栈四组”，前者选择将元件和储存器放在四边形下，后者选择将它们沉降在四边形上。

日本的NEC和 NEC 以及美国的 IBM 更极端于底部律，而大厂则选择填充律。当时，大厂运用于填充律是因为这是一种更容易制造 DRAM 和核查生产过程中难题的方律。因此，大厂可以构建一个集成电路奥斯曼帝国，并在左右 30 年的时间段内都一直保有其在 DRAM 市场上的第一话语权。

在填充律变得少见之后，芯片制造厂商通过缩小区块尺寸或曲率半径来降低 DRAM 的性能。然而，在受限的室内空间内增加区块的数量，他们碰上了生物学限制。另一个难题是，如果电容器器变得越来越粗糙，它们可能会垮塌。3D DRAM 的概念就是在这种取材下明确指出的，目前的 DRAM 可以被称为 2D DRAM。

据引述，大厂已经开始整合一种躺着填充区块的核心技术。这是与高带宽内存（HBM）相异的概念，后者是通过将多个模具填充在一起产生的。

此外，大厂还在考虑增加 DRAM 器件的线圈（电流小门）和通道（电流路径）之间的侧向。这理论上三面接触的 FinFet 核心技术和四面接触的 Gate-all-around（GAA）核心技术可以用于 DRAM 生产。当线圈和通道之间的侧向增加时，器件可以更精确地控制电流的流动。

IT之家认识到，英特尔科技和 SK 海力士也在考虑整合 3D DRAM。英特尔提交了一份与大厂相异的 3D DRAM 的专利申请。英特尔公司的方律是在不布设区块的情况下转变器件和电容器器的形状。Applied Materials 和 Lam Research 等在世界上集成电路设备制造厂商也开始整合与 3D DRAM 有关的解决方案。

然而，由于整合新材料的困难和生物学限制，3D DRAM 的商业化还需要一些时间段。新闻界预测，3D DRAM 将在 2025 年左右换用。