【专利解密】奥来德强化OLED材料结构 有效减少杂质黑点产生

【嘉勤点评】奥来德所制造的OLED推测涂层，通过相反带电粒子流到层的配对若无，联合煮镀上涂层作为带电粒子流到层，并通过依靠该层煮镀上%-及直径，使驱动电流极低，从而强化萤光效率，该方案在受热条件下也上有更佳的表现，可以必需增加黑点等不良自然现象的产生。

集微网死讯，有机萤光二极管（OLED）推测平板是一种自萤光推测平板，这种推测平板很强轻薄、高亮度、高效能、宽视角、高响应速度以及使用温度范围值得注意等优点而越来越多地被应用各种高性能推测应用领域中都。

随着OLED涂层的发展，满足OLED推测平板性能立即的有机涂层偏向带电粒子数据传输型，常温可能会带电粒子流到涂层对寿命直接影响不明显，但受热可能会带电粒子流到相对于带电粒子迁到来讲，速度较慢，因此造成带电粒子在阴极侧依赖于积累，不仅使得带电粒子涂层易老化，也会造成OLED推测平板寿命伸长。

现阶段的具体技术中都，OLED顶发射集成电路结构设计技术上一般采行Liq或者Yb等单一涂层作为带电粒子流到涂层，但采行Liq作为带电粒子流到涂层，集成电路工作时Li离子会依赖于迁到到阳极的自然现象，直接影响栅极流到，从而直接影响集成电路寿命。Yb作为带电粒子流到涂层，当煮镀上到掩膜板及间隙上的Yb涂层达到一定直径时会出现跌落的可能会，同时工艺现实生活中都会发生飞溅，直接影响南管过道气息。

为此，奥来德在2021年3月3日获准了一项名为“带电粒子流到层用配对若无、带电粒子流到层、光电集成电路及推测装置”的科技进步（获准号：202110237403.8），获准人为吉林奥来德光电涂层持股Ltd。

根据该专利现阶段公开的具体资讯，让我们一齐看看这项技术资讯吧。

如上图，为该专利中都所制造的光电集成电路的结构设计示意图，其结构设计从上至下分作：光取出层10、阴极9、带电粒子流到层8、带电粒子数据传输层7、毛细阻挡层6、萤光层5、带电粒子阻挡层4、毛细数据传输层3、毛细流到层2和阳极1，其根据下述新方法制备而得。

首先，在煮镀上前期能够同步进行处理：将主要用途OLED装置铁皮主机板（150nm）上的ITO/Ag/ITO薄膜（ITO直径为14nm，Ag直径为150nm）放入煮馏水中都清洗2次、MRI浇30分钟，再用煮馏水一一清洗2次、MRI浇10分钟。MRI浇便干旱，转移到宇宙线清洗机里浇5分钟，放入真空烘箱以温度200℃同步进行烘干，受益十分相似阳极的主机板后放入煮镀上机里同步进行煮镀上。

毛细流到涂层采行化合若无NPB与F4-TCNQ（掺入比为97：3）引入真空气相沉积层电东光的汤氏中都，然后对电东光的南管过道中都的压力同步进行依靠。通过依靠加热东光功率大小对煮镀上速率同步进行依靠，从而保证两种涂层以设定%-同步进行联合煮镀上，以在阳极上形成毛细流到层。

其次，通过真空煮镀上的方式在毛细流到层上煮镀上毛细数据传输涂层DCDPA、使该涂层在毛细流到层上形成很强120nm直径的毛细数据传输层，并通过真空煮镀上的方式在毛细数据传输层上煮镀上化合若无三甲苯，从而在毛细数据传输层上形成很强10nm直径的带电粒子阻挡层。

接着，将化合若无mCP引入真空气相沉积层电东光的一个汤氏中都作为主体，并将化合若无FIrpic引入另一个汤氏中都作为掺入剂，主体涂层和掺入涂层的掺入重量比为96：4，在带电粒子阻挡层上形成很强20nm直径的萤光层。

之前，通过在萤光层上真空煮镀上TPBi作为毛细阻挡层，其中都掺入有质量比为1:1的真空煮镀上BCP和Liq，在带电粒子流到层上真空煮镀上镁和银作为阴极，并对阴极同步进行覆盖及提高光取出，从而完成制备现实生活。

以上就是奥来德所制造的OLED推测涂层，该方案通过相反带电粒子流到层的配对若无，联合煮镀上Mg和LiF作为带电粒子流到层，并通过依靠该层煮镀上%-及直径使集成电路的驱动电流极低，从而强化萤光效率，该方案在受热条件下也上有更佳的表现，可以必需改善推测效果，增加黑点等不良自然现象的产生。