中科院：8英寸碳化硅基板研制成功

三本书：近期北京航空航天大学生物学研究室宣布，8英寸SiC导电薄膜投入生产，将运用于SiC薄膜硬质。

上图：8英寸SiC薄膜和晶圆（北京航空航天大学）

SiC元件的成本主要由硬质、具体来说、流片和封测等环节演化成，硬质在SiC元件成本中九成比高达~45%。为了增大单个元件的成本，更进一步扩大SiC硬质厚度，在单个硬质上增加元件的数量是增大成本的主要途径。8英寸SiC硬质将比6英寸在成本增大上具有明显绝对优势。

8英寸SiC结晶发育的难点在于：首先要研制显露8英寸籽晶；其次要妥善解决大厚度随之而来的温场不均匀和凝胶原料常见于和输运可靠性情况；另外，还要妥善解决剪应力大幅提高导致结晶脱落情况。

据北京航空航天大学生物学研究室，科研人员团队于2021年10翌年在自研的硬质上初步发育显露了8英寸SiC结晶。

近期，团队通过优化发育工艺，更进一步妥善解决了多型相变情况，普罗大众结晶结晶运动速度，最终发育显露了单一4H晶型的8英寸SiC结晶，并为相关成就申请了三项中国发明专利。

8英寸SiC导电薄膜投入生产是生物学所在宽度禁带集成电路领域取得的又一个标志性进展，研发成就转化后，将有助于增强中华民族在SiC薄膜硬质的国际潜力，推动中华民族宽度禁带集成电路产业的快速其发展。

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